Anjeneral pale, li difisil pou evite yon ti kantite echèk nan devlopman, pwodiksyon ak itilizasyon aparèy semi-conducteurs. Avèk amelyorasyon kontinyèl nan kondisyon bon jan kalite pwodwi, analiz echèk ap vin pi plis ak pi enpòtan. Lè w analize chips espesifik echèk, Li ka ede konsèpteur sikwi yo jwenn domaj yo nan konsepsyon aparèy, dezakò nan paramèt pwosesis, konsepsyon an rezonab nan sikwi periferik oswa move operasyon ki te koze pa pwoblèm nan. Nesesite analiz echèk nan aparèy semi-conducteurs sitou manifeste nan aspè sa yo:
(1) Analiz echèk se yon mwayen nesesè pou detèmine mekanis echèk chip aparèy la;
(2) Analiz echèk yo bay baz ak enfòmasyon ki nesesè pou yon dyagnostik efikas;
(3) Analiz echèk bay enfòmasyon ki nesesè pou enjenyè konsepsyon yo pou yo kontinye amelyore oswa repare konsepsyon chip la epi fè li pi rezonab an akò ak spesifikasyon konsepsyon an;
(4) Analiz echèk ka bay sipleman ki nesesè pou tès pwodiksyon ak bay enfòmasyon ki nesesè pou optimize pwosesis tès verifikasyon.
Pou analiz echèk nan dyod semi-conducteurs, odyo oswa sikui entegre, paramèt elektrik yo ta dwe teste an premye, epi apre enspeksyon an aparans anba mikwoskòp optik la, yo ta dwe retire anbalaj la. Pandan w ap kenbe entegrite nan fonksyon chip la, yo ta dwe kenbe kondwi entèn ak ekstèn, pwen lyezon ak sifas chip la osi lwen ke posib, pou prepare pou pwochen etap analiz la.
Sèvi ak mikwoskospi elektwonik optik ak spectre enèji pou fè analiz sa a: ki gen ladan obsèvasyon mòfoloji mikwoskopik la, rechèch pwen echèk, obsèvasyon pwen defo ak kote, mezi egzat nan gwosè jeyometri mikwoskopik aparèy la ak distribisyon potansyèl sifas ki graj ak jijman lojik pòtay dijital la. kous (ak metòd imaj kontras vòltaj); Sèvi ak espektwomèt enèji oswa espektwomèt pou fè analiz sa a gen: analiz konpozisyon eleman mikwoskopik, estrikti materyèl oswa analiz polyan.
01. Defo andigman ak boule nan aparèy semi-conducteurs
Defo andigman ak boule-soti nan aparèy semi-conducteurs yo tou de mòd echèk komen, jan yo montre nan Figi 1, ki se domaj la nan kouch nan pirifye nan sikwi entegre.
Figi 2 montre defo sifas kouch metalize kous entegre a.
Figi 3 montre kanal la pann ant de bann metal nan kous la entegre.
Figi 4 montre efondreman teren an metal ak deformation skew sou pon lè a nan aparèy mikwo ond lan.
Figi 5 montre kadriyaj boule tib mikwo ond lan.
Figi 6 montre domaj mekanik entegre fil metalize elektrik la.
Figi 7 montre ouvèti chip dyòd mesa ak defo.
Figi 8 montre pann dyòd pwoteksyon an nan opinyon sikwi entegre a.
Figi 9 montre ke sifas la nan chip sikwi entegre la domaje pa enpak mekanik.
Figi 10 montre boule yon pati nan chip sikwi entegre la.
Figi 11 montre chip dyòd la te kraze ak gravman boule, ak pwen yo pann tounen nan eta k ap fonn.
Figi 12 montre gallium nitrure mikwo ond pouvwa tib chip la boule, ak pwen boule a prezante yon eta sputtering fonn.
02. Pann Electrostatic
Aparèy Semiconductor soti nan fabrikasyon, anbalaj, transpò jiska sou tablo sikwi pou ensèsyon, soude, asanble machin ak lòt pwosesis yo anba menas elektrisite estatik. Nan pwosesis sa a, transpò a domaje akòz mouvman souvan ak ekspoze fasil a elektrisite estatik ki te pwodwi pa mond lan deyò. Se poutèt sa, yo ta dwe peye atansyon espesyal nan pwoteksyon elektwostatik pandan transmisyon ak transpò pou diminye pèt.
Nan aparèy semi-conducteurs ak tib unipolè MOS ak sikwi entegre MOS se patikilyèman sansib a elektrisite estatik, espesyalman tib MOS, paske nan rezistans pwòp opinyon li yo trè wo, ak kapasite nan elektwòd pòtay-sous se piti anpil, kidonk li trè fasil yo dwe afekte pa jaden elektwomayetik ekstèn oswa endiksyon elektwostatik ak chaje, ak paske nan jenerasyon an elektwostatik, li difisil a egzeyat chaj nan tan, Se poutèt sa, li fasil lakòz akimilasyon nan elektrisite estatik nan pann nan enstantane nan aparèy la. Fòm nan pann elektwostatik se sitou pann elektrik enjenyeu, se sa ki, kouch nan oksid mens nan kadriyaj la kraze, fòme yon pinhole, ki kout diferans ki genyen ant kadriyaj la ak sous la oswa ant kadriyaj la ak drenaj la.
Ak relatif nan MOS tib MOS sikwi entegre antistatik pann kapasite se relativman yon ti kras pi bon, paske tèminal la opinyon nan MOS sikwi entegre ekipe ak dyòd pwoteksyon. Yon fwa gen yon gwo vòltaj elektwostatik oswa vòltaj vag nan pi fò nan dyod pwoteksyon yo ka chanje nan tè a, men si vòltaj la twò wo oswa aktyèl anplifikasyon enstantane a twò gwo, pafwa dyod pwoteksyon yo pral tèt yo, jan yo montre nan Figi. 8.
Plizyè foto yo montre nan figi 13 yo se topografi pann elektwostatik nan sikwi entegre MOS. Pwen an pann se ti ak gwo twou san fon, prezante yon eta fonn sputtering.
Figi 14 montre aparans nan pann elektwostatik nan tèt la mayetik nan yon òdinatè ki gen kapasite difisil.
Lè poste: 08-Jul-2023
